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En plein centenaire, IBM a annoncé développer une mémoire de stockage nouvelle génération réactive et endurante.
Les chercheurs d'IBM ont ainsi annoncé avoir mis au point une mémoire de stockage nouvelle génération en utilisant la technologie «à changement de phase». Elle consiste globalement à exploiter la variation de résistance dans un matériau. En fonction de la résistance, on stocke des combinaisons de bit 00, 01, 10 ou 11.
Les chercheurs ont réussi à créer une mémoire non volatile, un peu comme l'est la mémoire flash. C'est à dire qu'elle ne nécessite pas d'être alimentée pour stocker, alors que c'est le cas pour la mémoire classique, la mémoire vive. Ainsi, les temps de latence sont divisés par 100 par rapport à la mémoire flash. Le nombre de cycles de lecture/écriture se compte désormais en millions et non plus en milliers.
C'est une véritable révolution dont pourraient profiter les ordinateurs personnels et les téléphones intelligents. Cela permettrait d'avoir un démarrage instantané et un accès instantané aux données, tout comme pour l'infonuagique.
Comble du bonheur, selon ces mêmes chercheurs, le coût de fabrication de cette mémoire de stockage nouvelle génération serait assez bas. Les prix pourraient donc baisser un peu.
Il n'est pas encore question d'une production et exploitation à l'échelle planétaire mais cela viendra sans doute.
(Source: Wall Street Journal, ZDNet)
par Nicolas Laffont
"réactive et endurante" un mot rare dans ce domaine, bien hâte de voir cela et à quel prix...
