Samsung: nouvelle mémoire plus rapide que la Flash
La compagnie sud-coréenne Samsung a annoncé lundi qu'elle vient de développer récemment un nouveau type de mémoire qui serait jusqu'à trente fois plus rapide que la mémoire Flash utilisée actuellement dans de nombreux appareils électroniques.
Cette mémoire, appelée PRAM (pour «
phase-change random access memory»), peut, tout comme la mémoire Flash ou les disques durs, conserver des données même lorsqu'il n'y a aucune alimentation électronique.
Samsung travaillerait actuellement sur un prototype d'une capacité de 512 mégaoctets, mais l'arrivée en magasin des cartes de mémoire PRAM n'est pas prévue avant 2008, a indiqué la compagnie dans une conférence de presse lundi à Séoul, en Corée du Sud.
Selon Samsung, la mémoire PRAM serait constituée de minuscules diodes montées à la verticale, permettant à la compagnie de créer des cellules de mémoire tridimensionnelles plus compactes et plus puissantes.
Nouvelle mémoire Flash La compagnie a également profité de la conférence de presse pour y présenter une mémoire Flash NAND d'une capacité de stockage de 32 gigaoctets.
Pour arriver à une si grande capacité de stockage, Samsung a utilisé de nouvelles machines permettant de travailler à une précision de 40 nanomètres, au lieu de celles d'une précision de 70 nanomètres que l'on retrouve dans ses usines actuellement.
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