AMD et IBM annoncent une percée technologique qui permettrait d'accélérer les fréquences d'opération des processeurs et de réduire leur consommation d'énergie.
En étirant et compressant le silicium des processeurs, AMD et IBM seraient parvenus à augmenter de 24% la vitesse d'opération des transistors, pour une consommation d'énergie donnée. La technologie du «silicium contraint» (strained silicon) permettrait donc de construire des puces plus rapides et qui surchauffent moins à cause d'une diminution des fuites électriques.
Cette technologie serait graduellement intégrée aux processeurs fabriqués à l'aide du procédé à 90 nanomètres, y compris dans les puces à double noyau (dual core) qui seront commercialisées en 2005.
Ce nouveau procédé de fabrication des processeurs, développé par AMD et IBM, pourrait être déployé en utilisant les équipements et les matériaux actuels. Plus de détails techniques dans le communiqué d'AMD et IBM (en anglais).
Texte rédigé par : Jean-Charles Condo
Publié dans BRANCHEZ-VOUS! le 13 décembre 2004
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En étirant et compressant le silicium des processeurs, AMD et IBM seraient parvenus à augmenter de 24% la vitesse d'opération des transistors, pour une consommation d'énergie donnée. La technologie du «silicium contraint» (strained silicon) permettrait donc de construire des puces plus rapides et qui surchauffent moins à cause d'une diminution des fuites électriques.
